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V30100PW	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 文件：83.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100PW-M3-4W	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 文件：83.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：168.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S	文件：141.87 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：141.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S_V01	文件：141.87 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：141.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S-E3	文件：213.12 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：213.12 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S-E3/45	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：168.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S-E3_V01	文件：213.12 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：213.12 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100S-E3SLASH45	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：168.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V30100SG	文件：168.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.82 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

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详细参数

型号：
V301
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	V30120S	VISHAY	18+	TO-220	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
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