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V20100R-E3SLASH4W	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多V20100R-E3SLASH4W供应商更新时间2026-2-6 14:55:00