High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A

Very low profile - typical height of 1.1 mm\nTrench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses;

Vishay

威世

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

文件：106.51 Kbytes 页数：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：15A, 60V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：15A, 60V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：15A, 60V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division