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V12PM45-M3/I	文件：107.74 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：107.74 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V12PM45-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V12PM45-M3SLASHH	文件：107.74 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.37 V at IF = 6 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code; base P/NHM3 文件：107.74 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V12PM45-M3SLASHI	文件：107.74 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.37 V at IF = 6 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code; base P/NHM3 文件：107.74 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

产品属性

产品编号：
V12PM45-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
eSMP®, TMBS®
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2350pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
描述：
RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

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更多V12PM45-M3/I供应商更新时间2025-12-20 10:57:00

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