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V12PM6HM3SLASHH

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 6 A

•Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

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V12PM6HM3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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V12PM6HM3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V12PM6HM3SLASHI

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=6A

•Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

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更多V12PM6HM3SLASHH供应商 更新时间2025-5-23 9:50:00