High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/

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Low forward voltage drop, low power losses

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High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/

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High Current Density Surface MountTrench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 4.1A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 12A 120V TO-277AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 12A 120V TO-277AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division