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V10P12中文资料PDF规格书

V10P12
厂商型号

V10P12

参数属性

V10P12 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A

功能描述

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

109.22 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 13:00:00

产品属性

  • 产品编号:

    V10P12HM3_A/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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