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V10P10HM3_A/H

Package:TO-277,3-PowerDFN;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V10P10HM3

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses •

文件:111.06 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

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V10P10-M3/86A

SMPC

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V12P6-M3/86A

TO-277A-3

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上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    V10P10HM3_A/H

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A

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更多V10P10HM3_A/H供应商 更新时间2025-11-4 16:12:00