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V10DM153C-M3/I	文件：120.86 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10DM153C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DUAL 150V, 10A TMBS (TRENCH MOS	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10DM153C-M3SLASHI	文件：120.86 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.56VatIF=2.5A •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DUAL 150V, 10A TMBS (TRENCH MOS

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DualHigh-VoltageTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.56VatIF=2.5A

•TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotive

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产品属性

产品编号：
V10DM153C-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装：
TO-263AC（SMPD）
描述：
DUAL 150V, 10A TMBS (TRENCH MOS

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更多V10DM153C-M3/I供应商更新时间2025-5-19 11:06:00

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