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V10170C-M3_V01	文件：161.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：161.45 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10P10-M3/86A	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SMPC	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市芯巴巴科技有限公司	Vishay
V12P6-M3/86A	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay TO-277A-3	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	Vishay
V15P8-M3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TO-247	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	Vishay

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更多V10170C-M3_V01供应商更新时间2025-10-5 11:10:00

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