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丝印：V040N60S5F；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??Single N-Channel, SUPERFET V, FRFET 600 V, 40 m, 59 A Features • Ultra Low Gate Charge & Low Effective Output Capacitance • Lower FOM (RDS(on) max. x Qg typ. & RDS(on) max. x EOSS) • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：797.53 Kbytes 页数：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-17 9:31:00
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