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UTT60N10L-TN3-R	文件：215.35 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR 文件：215.35 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UTT60N10ML-TM3-T	文件：1.05108 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.05108 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
UTT60N10M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UTC UTT60N10M is N-channel enhancement mode powerMOSFET using UTC’s advanced technology to provide customerswith high switching speed, a extremely low RDS(ON) and low gate charge. The UTC UTT60N10M is suitable for high frequency Point-of-Load Synchronous, Networking DC-DC System, CCFL Back-lig RDS(ON) <1.0 mΩ @ VGS=10V, ID=30AGreen Device AvailableLow Gate Charge Surface mount package;	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
60
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
24
CISSTYP.(pF)：
5780
COSSTYP.(pF)：
310
CRSSTYP.(pF)：
190
QgTYP.(nC)：
110
QgsTYP.(nC)：
20
QgdTYP.(nC)：
34
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
Package：
TO-220_TO-220F1_TO-252_TO-3P_TO-263_TO-262_SOP-8_PDFN5X6

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更多UTT60N10供应商更新时间2025-12-16 10:04:00

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