UTT12NN10中文资料2.5A, 100V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET数据手册UTC规格书
UTT12NN10规格书详情
描述 Description
The UTC UTT12NN10 is a N-channel Power MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with low Rdson characteristic by high cell density trench technology.
特性 Features
RDS(ON) < 0.25Ω @ VGS=10V, ID=2.0AFast Switching SpeedSimple Drive Requirement
技术参数
- 制造商编号
：UTT12NN10
- 生产厂家
：UTC
- VGSS(V)
：±20
- ID(A)
：2.5
- RDS(ON)VGS=10V(mΩ)(Max)
：280
- RDS(ON)VGS=4.5V(mΩ)(Max)
：-
- RDS(ON)VGS=4.0V(mΩ)(Max)
：-
- RDS(ON)VGS=2.5V(mΩ)(Max)
：-
- RDS(ON)VGS=1.8V(mΩ)(Max)
：-
- VGS(th)(V)(Min)
：1
- VGS(th)(V)(Max)
：3
- Package
：PDFN3×3_SOP-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC |
2024+ |
TO-220 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
UTC |
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TO-220 |
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UCT/友顺 |
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TO-252 |
50000 |
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UTC |
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TO-252 |
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UTC/友顺 |
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TO-252 |
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UTC/友顺 |
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TO-252 |
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UTC/友顺 |
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SMD |
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UTC/友顺 |
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24000 |
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UTC/友顺 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
原装现货 |
询价 | ||
UTC |
17+ |
TO252 |
40 |
询价 |
