UTT108N03数据手册UTC中文资料规格书
UTT108N03规格书详情
描述 Description
As advanced N-channel level power MOSFET, the UTT108N03 is produced using UTC’s advanced trench technology, which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintainlow gate charge for superior switching performance.
特性 Features
• RDS(ON) = 6.0mΩ @VGS = 10V
• Low Capacitance
• Optimized Gate Charge
• Fast Switching Capability
• Avalanche Energy Specified
技术参数
- 制造商编号
：UTT108N03
- 生产厂家
：UTC
- Vdss(V)
：30
- Vgss(V)
：±20
- Id(A)
：108
- Package
：TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC |
2024+ |
TO-252 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
UTC/友顺 |
2223+ |
TO-252 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
UTC/友顺 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
UTC/友顺 |
23+ |
TO-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
UTC/友顺 |
新年份 |
TO-252 |
65890 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
UTC |
1823+ |
TO-252 |
153 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
