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UTM4953	文件：186.14 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：186.14 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM4953	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON)<60mΩ @VGS=-10V \n• RDS(ON)<95mΩ @VGS=-4.5V \n• Low capacitance \n• Low gate charge \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
UTM4953G-S08-R	文件：186.14 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：186.14 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM4953G-S08-R	文件：1.88652 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.88652 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UTM4953L-S08-R	文件：1.88653 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.88653 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UTM4953L-S08-R	文件：186.14 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：186.14 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM4953L-S08-R	文件：1.33602 Mbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.33602 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
UTM4953L-S08-T	文件：1.88652 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.88652 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UTM4953L-SO8-R	文件：1.88654 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.88654 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UTM4953-S08-R	文件：1.05529 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05529 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

VGSS(V)：
±25
ID(A)：
-4.9
RDS(ON)VGS=10V(mΩ)(Max)：
60
RDS(ON)VGS=4.5V(mΩ)(Max)：
95
VGS(th)(V)(Min)：
-1
VGS(th)(V)(Max)：
-2
Package：
SOP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UTM4953供应商更新时间2025-12-9 16:05:00

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