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UTM2513

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTM2513

Trench Power MOSFET  (N-CH)

• RDS(ON) = 10.5m Ω(typ.) @VGS = 10 V \n• RDS(ON) = 16mΩ(typ.) @VGS = 4.5 V \n• Low capacitance \n• Optimized gate charge \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified;

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UTM2513G-TN3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTM2513G-TN3-T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTM2513L-TN3-R

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UTM2513L-TN3-T

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UTM2513-TN3-R

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UTM2513-TN3-T

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技术参数

  • VGS(±V):

    ±20

  • ID(A):

    40

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V:

    13

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V:

    23

  • CISSTYP.(pF):

    1560

  • COSSTYP.(pF):

    345

  • CRSSTYP.(pF):

    245

  • QgTYP.(nC):

    28

  • QgsTYP.(nC):

    3.6

  • QgdTYP.(nC):

    8.4

  • VGS(th)(V)MIN.:

    1.3

  • VGS(th)(V)MAX.:

    2.5

  • Package:

    TO-252_DFN1820-6_DFN2030-6_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UTM2513供应商 更新时间2025-12-1 10:08:00