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UTM2054	文件：156.54 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：156.54 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054	文件：847.53 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET 文件：847.53 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
UTM2054	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UTM2054 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON)= 35m Ω @VGS=10V \n• RDS(ON)= 110mΩ @VGS=2.5V \n• Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 60 pF ) \n• Avalanche energy specified \n• Improved dv/dt capability, high ruggedness;	UTC 友顺	UTC
UTM2054_15	文件：167.07 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：167.07 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054-AB3-R	文件：156.54 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：156.54 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054G-AB3-R	文件：167.07 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：167.07 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054G-AB3-R	文件：156.54 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：156.54 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054G-AE3-R	文件：167.07 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：167.07 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054L-AB3-R	文件：167.07 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：167.07 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTM2054L-AB3-R	文件：156.54 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：156.54 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±16
ID(A)：
5
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
40
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
54
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V：
130
CISSTYP.(pF)：
450
COSSTYP.(pF)：
100
CRSSTYP.(pF)：
60
QgTYP.(nC)：
11.5
QgsTYP.(nC)：
3.8
QgdTYP.(nC)：
5.2
VGS(th)(V)MIN.：
0.6
VGS(th)(V)MAX.：
1.5
Package：
SOT-23_SOT-89_DFN1820-6_DFN2030-6_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UTM2054供应商更新时间2026-4-18 22:58:00

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