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UTG50N120FQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench IGBT	UTC 友顺	UTC
UTG50N120FQ-G2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench IGBT	UTC 友顺	UTC
IXFN50N120SIC	文件：474.05 Kbytes Page：7 Pages	SiC Power MOSFET 文件：474.05 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN50N120SIC	文件：516.909 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·High blocking voltagewith low RDS(on) ·Easy to parallel and simple to drive ·Avalanche ruggedness APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Industrial UPS ·Battery chargers ·Motor drives 文件：516.909 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFN50N120SK	文件：289.35 Kbytes Page：4 Pages	Kelvin Source gate connection 文件：289.35 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

VGES(V)：
±20
IC(A)：
100
VCE(SAT)(V)testVGE(V)：
15
VCE(SAT)(V)MAX.：
2.2
VGE(th)(V)MIN.：
4.5
VGE(th)(V)MAX.：
7.5
QG(nC)TYP.：
178.8
Turnon/off Time TR(uS)TYP.：
0.0177
Turnon/off Time TF(uS)TYP.：
0.1979
Package：
TO-247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UTG50N120FQ供应商更新时间2025-11-14 11:07:00

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