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UTD436	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTD436	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UTD436 uses UTC’s advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON)<7.5mΩ @VGS=10V, ID =20A \n• RDS(ON)<13mΩ @VGS=4.5V, ID =20A \n• Low capacitance \n• Low gate charge \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
UTD436G-TN3-R	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTD436G-TN3-T	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTD436L-TN3-R	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTD436L-TN3-R	文件：1.00299 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00299 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UTD436L-TN3-T	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTD436-TN3-R	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTD436-TN3-T	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
60
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
7.5
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
13
CISSTYP.(pF)：
1520
COSSTYP.(pF)：
306
CRSSTYP.(pF)：
214
QgTYP.(nC)：
31.9
QgsTYP.(nC)：
5
QgdTYP.(nC)：
9.6
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
TO-252_PDFN5×6

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