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UTD405

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTD405

Trench Power MOSFET  (P-CH)

The UTD405 can provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance by using advanced trench technology. This device is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance. • RDS(ON) = 32mΩ @VGS = -10 V \n• Low gate charge \n• Avalanche energy specified;

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UTD405L-TN3-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTD405L-TN3-T

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTD405-TN3-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTD405-TN3-T

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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技术参数

  • VGS(±V):

    ±20

  • ID(A):

    -18

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V:

    32

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V:

    60

  • CISSTYP.(pF):

    920

  • COSSTYP.(pF):

    190

  • CRSSTYP.(pF):

    122

  • QgTYP.(nC):

    18.7

  • QgsTYP.(nC):

    2.54

  • QgdTYP.(nC):

    5.4

  • VGS(th)(V)MIN.:

    -1.2

  • VGS(th)(V)MAX.:

    -2.4

  • Package:

    TO-252_SOP-8_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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