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ZXTN620MATA

80VNPNLOWSATURATIONTRANSISTOR

FeaturesandBenefits •BVCEO>80V •IC=3.5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(185mVmax@1A) •RSAT=68mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEspecifiedupto5Aforhighcurrentgainholdup •Lowprofile0.6mmhighpackageforthinapplications •RθJAeffic

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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更多UTC-620供应商 更新时间2025-7-23 10:09:00