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UT60N03	文件：221.14 Kbytes Page：5 Pages	30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 文件：221.14 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT60N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET This device employs advanced MOSFET technology and • RDS(ON) = 14mΩ @VGS = 10V \n• RDS(ON) = 24mΩ @VGS = 4.5V \n• Low Capacitance \n• Low Gate Charge \n• Fast Switching Capability \n• Avalanche Energy Specified;	UTC 友顺	UTC
UT60N03L-TN3-R	文件：930.46 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：930.46 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
UT60N03_15	文件：247.31 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：247.31 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT60N03G-TA3-T	文件：221.14 Kbytes Page：5 Pages	30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 文件：221.14 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT60N03G-TA3-T	文件：247.31 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：247.31 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT60N03G-TM3-T	文件：247.31 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：247.31 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT60N03G-TM3-T	文件：221.14 Kbytes Page：5 Pages	30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 文件：221.14 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT60N03G-TN3-R	文件：902.26 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：902.26 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT60N03G-TN3-R	文件：221.14 Kbytes Page：5 Pages	30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 文件：221.14 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
60
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
23
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
30
CISSTYP.(pF)：
900
COSSTYP.(pF)：
210
CRSSTYP.(pF)：
90
QgTYP.(nC)：
9.6
QgsTYP.(nC)：
3.4
QgdTYP.(nC)：
3.4
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
TO-251_TO-252_TO-252D_TO-220_PDFN5X6

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更多UT60N03供应商更新时间2026-1-23 14:02:00

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