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UT4414	文件：125.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT4414 is an N-channel enhancement mode FET with excellent trench technology to provide customers perfect RDS(ON) and low gate charge. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. This device can 文件：125.27 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4414	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UTC UT4414 is an N-channel enhancement mode FET with excellent trench technology to provide customers perfect R DS(ON) and low gate charge. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. This device can be applied in • VDSS = 30V \n• RDS(ON)<26mΩ @VGS=10V \n• RDS(ON)<40mΩ @VGS=4.5V;	UTC 友顺	UTC
UT4414G-S08-R	文件：125.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT4414 is an N-channel enhancement mode FET with excellent trench technology to provide customers perfect RDS(ON) and low gate charge. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. This device can 文件：125.27 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4414_15	文件：165.99 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：165.99 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
8.5
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
26
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
40
CISSTYP.(pF)：
420
COSSTYP.(pF)：
110
CRSSTYP.(pF)：
95
QgTYP.(nC)：
12.4
QgsTYP.(nC)：
1.6
QgdTYP.(nC)：
2.7
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
SOP-8_TO-252_DFN1820-6_DFN2030-6_PDFN3×3_PDFN5×6_SOT-23_SOT-89

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