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UT4413

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTC

友顺

UT4413

Trench Power MOSFET  (P-CH)

The UT4413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON) = 8.5m Ω @VGS = -10 V \n• Low gate charge \n• Avalanche energy specified;

UTC

友顺

UT4413_15

P-CHANNEL POWER MOSFET

文件:233.38 Kbytes 页数:5 Pages

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友顺

UT4413G-S08-R

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.72686 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

UT4413L-S08-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTC

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UT4413L-S08-T

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UT4413-S08-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UT4413-S08-T

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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技术参数

  • VGS(±V):

    ±25

  • ID(A):

    -15

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V:

    14

  • CISSTYP.(pF):

    3927

  • COSSTYP.(pF):

    618

  • CRSSTYP.(pF):

    481

  • QgTYP.(nC):

    65

  • QgsTYP.(nC):

    15

  • QgdTYP.(nC):

    18

  • VGS(th)(V)MIN.:

    -2

  • VGS(th)(V)MAX.:

    -4

  • Package:

    SOP-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UT4413供应商 更新时间2025-11-30 11:10:00