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UT4411	文件：267.64 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：267.64 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (P-CH) The UT4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10 V \n• Optimized gate charge \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
UT4411_15	文件：217.69 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：217.69 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411G-S08-R	文件：267.64 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：267.64 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411G-S08-R	文件：217.69 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：217.69 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411G-S08-R	文件：1.08586 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.08586 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
UT4411G-S08-T	文件：267.64 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：267.64 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411L-S08-R	文件：267.64 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：267.64 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411L-S08-T	文件：267.64 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：267.64 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4411-S08-R	文件：267.64 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：267.64 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
-8
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
32
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
55
CISSTYP.(pF)：
1200
COSSTYP.(pF)：
170
CRSSTYP.(pF)：
122
QgTYP.(nC)：
18.4
QgsTYP.(nC)：
2.7
QgdTYP.(nC)：
4.9
VGS(th)(V)MIN.：
-1.2
VGS(th)(V)MAX.：
-2.4
Package：
SOP-8_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	UT4411-S08-R	UTC/友顺	23+	SOP-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多UT4411供应商更新时间2025-12-8 9:31:00

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