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UT4406	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UT4406 can provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V by using UTC’s advanced trench technology which makes an excellent high side switch for notebook CPU core DC-DC conversion. • RDS(ON) < 14mΩ @VGS = 10 V \n• RDS(ON) < 26mΩ @VGS = 2.5 V \n• Low gate charge \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
UT4406_15	文件：219.17 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：219.17 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4406G-S08-R	文件：219.17 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：219.17 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4406G-S08-R	文件：207.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：207.44 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4406G-S08-T	文件：207.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：207.44 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4406L-S08-R	文件：207.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：207.44 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
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技术参数

VGS(±V)：
±12
ID(A)：
12
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
14.8
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
17.5
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V：
26.8
CISSTYP.(pF)：
1500
COSSTYP.(pF)：
195
CRSSTYP.(pF)：
170
QgTYP.(nC)：
25
QgsTYP.(nC)：
4
QgdTYP.(nC)：
7.5
VGS(th)(V)MIN.：
0.5
VGS(th)(V)MAX.：
1.5
Package：
SOP-8_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	UT4406	VBsemi	23+	SOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多UT4406供应商更新时间2025-12-23 13:01:00

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