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UT40N03TL-TN3-R	文件：230.38 Kbytes Page：4 Pages	30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：230.38 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03TL-TN3-R	文件：253.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：253.44 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03TL-TN3-R	文件：1.01881 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01881 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT40N03TL-TN3-R	文件：756.27 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：756.27 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
UT40N03TL-TN3-T	文件：230.38 Kbytes Page：4 Pages	30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：230.38 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03TL-TQ2-R	文件：230.38 Kbytes Page：4 Pages	30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：230.38 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03TL-TQ2-R	文件：253.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：253.44 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03TL-TQ2-T	文件：253.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：253.44 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03TL-TQ2-T	文件：230.38 Kbytes Page：4 Pages	30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：230.38 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±25
ID(A)：
40
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
25
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
45
CISSTYP.(pF)：
680
COSSTYP.(pF)：
120
CRSSTYP.(pF)：
100
QgTYP.(nC)：
13
QgsTYP.(nC)：
3
QgdTYP.(nC)：
6.2
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
TO-251_TO-252_TO-263_TO-220_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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