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UT40N03	文件：267.29 Kbytes Page：5 Pages	40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：267.29 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03	文件：1.68776 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68776 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT40N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET The UT40N03 power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness • RDS(ON) = 17mΩ @VGS = 10 V \n• Low capacitance \n• Optimized gate charge \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
UT40N03G-TM3-T	文件：267.29 Kbytes Page：5 Pages	40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：267.29 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03G-TN3-R	文件：267.29 Kbytes Page：5 Pages	40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：267.29 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03G-TN3-R	文件：1.0188 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0188 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT40N03L-TM3-T	文件：1.68784 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68784 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT40N03L-TM3-T	文件：267.29 Kbytes Page：5 Pages	40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：267.29 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03L-TN3-R	文件：267.29 Kbytes Page：5 Pages	40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：267.29 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT40N03L-TN3-R	文件：1.01881 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01881 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
40
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
17
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
23
CISSTYP.(pF)：
600
COSSTYP.(pF)：
145
CRSSTYP.(pF)：
125
QgTYP.(nC)：
24
QgsTYP.(nC)：
3
QgdTYP.(nC)：
6
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
TO-251_TO-252_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	UT40N03	UTC/友顺	2022+	TO-252	7500	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	UT40N03TL-TN3-R低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	UT40N03TL-K08-3030-R	UTC/友顺	24+	NA/	53250	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价

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