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UT2N10	文件：150.43 Kbytes Page：3 Pages	2 Amps,100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：150.43 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	2 Amps,100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET The UTC UT2N10 is N-Channel enhancement mode silicon gate power FET.it uses a special gate oxide designed to provide full rated conductance at gate biases through 3V ~ 5V and facilitate true on-offpower control directly from logic circuit supply voltages.The UTC UT2N10 is universally applied in logi • 2A, 100V\n• RDS(ON) = 1.050Ω\n• Design Optimized for 5V Gate Drives\n• Can be Driven Directly from QMOS, NMOS, TTL Circuits\n• Compatible with Automotive Drive Requirements\n• SOA is Power Dissipation Limited\n• Nanosecond Switching Speeds\n• Linear Transfer Characteristics\n• High Input Impedance;	UTC 友顺	UTC
UT2N10_15	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-AA3-R	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-T92-B	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-T92-K	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-T9N-A-B	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-T9N-A-K	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-T9N-B	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2N10G-T9N-K	文件：215.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：215.2 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±10
ID(A)：
2
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
320
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
380
CISSTYP.(pF)：
280
COSSTYP.(pF)：
155
CRSSTYP.(pF)：
15
QgTYP.(nC)：
13
QgsTYP.(nC)：
3.5
QgdTYP.(nC)：
2
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
TO-252_TO-92_TO-92NL_SOT-223_SOT-23_SOT-23S

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