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UT2955	文件：191.95 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：191.95 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2955	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (P-CH) The UT2955 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM applications, converters and power supplies. • RDS(ON)<170mΩ @VGS=-10 V, I D=-0.75A \n• RDS(ON)<180mΩ @VGS=-10 V, I D=-1.5A \n• RDS(ON)<185mΩ @VGS=-10 V, I D=-2.4A \n• Low Capacitance \n• Low Gate Charge \n• Fast Switching Capability \n• Avalanche Energy Specified;	UTC 友顺	UTC
UT2955_15	文件：234.72 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：234.72 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2955G-AA3-R	文件：234.72 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：234.72 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2955G-AA3-R	文件：191.95 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：191.95 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2955G-TN3-R	文件：234.72 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：234.72 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2955G-TN3-R	文件：191.95 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：191.95 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2955G-TN3-R	文件：988.09 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.09 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT2955L-TN3-R	文件：234.72 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：234.72 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
-1.7
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
185
CISSTYP.(pF)：
492
COSSTYP.(pF)：
165
CRSSTYP.(pF)：
50
QgTYP.(nC)：
14.3
QgsTYP.(nC)：
2.3
QgdTYP.(nC)：
5.2
VGS(th)(V)MIN.：
-2
VGS(th)(V)MAX.：
-4
TrrTYP.(nS)：
36
QrrTYP.(nC)：
139
Package：
SOT-223_TO-252

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更多UT2955供应商更新时间2026-4-17 11:03:00

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