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UT2312L-AE3-R	文件：161.51 Kbytes Page：3 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UT2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 33 mΩ @ VGS =4.5V, ID =5.0 A * RDS(ON) ≤ 40 mΩ @ VGS =2.5 V, 文件：161.51 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
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更多UT2312L-AE3-R供应商更新时间2025-12-1 14:14:00