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UT2321G-AE3-R	文件：230.29 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT2321 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 55mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-2.4A * RDS(ON) ≤ 80mΩ @ VGS=-2.5V, ID=- 文件：230.29 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT2321G-AE3-R	文件：251.61 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：251.61 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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更多UT2321G-AE3-R供应商更新时间2025-12-9 9:04:00