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UT150N06H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC
UT150N06M	文件：259.97 Kbytes Page：7 Pages	150A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRENCH POWER DESCRIPTION The UTC UT150N06M is a N-channel Power MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with low RDS(ON) characteristic by high cell density trench technology. The UTC UT150N06M is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, UPS, hard switche 文件：259.97 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
UTT150N06	文件：196.44 Kbytes Page：6 Pages	150 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：196.44 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
YJB150N06C	文件：569.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：569.16 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
150
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
5.6
CISSTYP.(pF)：
6026
COSSTYP.(pF)：
578
CRSSTYP.(pF)：
403
QgTYP.(nC)：
127
QgsTYP.(nC)：
31
QgdTYP.(nC)：
42
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
Package：
TO-220_TO-263

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更多UT150N06H供应商更新时间2025-11-25 16:23:00

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