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UT136N03	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • VDS(V)= 30 V \n• ID=136 A \n• RDS(ON)= 4.5mΩ@VGS=10 V \n• RDS(ON) = 5.6mΩ@VGS=4.5 V;	UTC 友顺	UTC
UT136N03G-TA3-T	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03G-TQ2-R	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03G-TQ2-T	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03L-TA3-R	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03L-TQ2-R	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03L-TQ2-T	文件：154.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：154.12 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT136N03H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC

更多UT136N03供应商更新时间2025-12-5 14:02:00