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US6K2

丝印:K02;Package:TUMT6;4V Drive NchNch MOS FET

文件:59.15 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

US6K2

丝印:K02;Package:TUMT6;4V Drive NchNch MOSFET

文件:68.3 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

US6K2

丝印:K02;Package:TUMT6;4V Drive NchNch MOSFET

文件:82.88 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

US6K2

4V Drive Nch+Nch MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Nch 中功率MOSFET;

ROHM

罗姆

US6K2_07

4V Drive NchNch MOSFET

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ROHM

罗姆

US6K2_1

4V Drive NchNch MOSFET

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ROHM

罗姆

US6K2TR

4V Drive Nch Nch MOSFET

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ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TUMT6

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-363T

  • JEITA Package:

    SC-113DA

  • Number of terminal:

    6

  • Polarity:

    Nch+Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    1.4

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.27

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.25

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.17

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.27

  • Total gate charge Qg[nC]:

    1.4

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    1

  • Drive Voltage[V]:

    4

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2.1 (t=0.85)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
25+
SOT-363
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