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US5U38

丝印:U38;Package:TUMT5;2.5V Drive PchSBD MOSFET

文件:139.91 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

US5U3TR

2.5V Drive NchSBD MOSFET

文件:73.51 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

US5U35

4V Drive Pch+SBD MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。 •实现以2.0×2.1mm安装面积的高功率小空间的MOSFET;

ROHM

罗姆

US5U38

2.5V Drive PchSBD MOSFET

ROHM

罗姆

US5U38TR

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 封装:

    TUMT5

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-353T

  • JEITA Package:

    SC-113CA

  • Number of terminal:

    5

  • Polarity:

    Pch+Schottky

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -45

  • Drain Current ID[A]:

    -0.7

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    1

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.9

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.6

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    1

  • Total gate charge Qg[nC]:

    1.7

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.7

  • Drive Voltage[V]:

    -4

  • Reverse voltage VR (Diode) [V]:

    40

  • Forward Current IF (Diode) [A]:

    0.1

  • Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]:

    1

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2.1 (t=0.85)

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更多US5U3供应商 更新时间2025-10-10 17:00:00