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US1B

型号:US1B;Package:SMA;Surface Mount Fast Recovery Rectifiers

Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage Highefficiency LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives Glasspassivatedchipjunction Easytopickandplace

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

US1B

型号:US1B;Package:DO-214AC;ULTRA FAST RECTIFIER

FEATURES Lowforwardvoltage,lowpowerloss Lowprofilepackage Easypickandplace Ultrafastrecoverytimesforhighefficiency Hightemperaturesoldering: 250oC/10secondsonterminals Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Glasspassivatedchipjunctions Plasticpackageh

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三阳电子三阳电子有限公司

US1B

型号:US1BAFC_R1_00001;Package:SMAF-C;Surface Mount Ultra Fast Recovery Rectifier

Features Glasspassivatedchipjunction Ultrafastreverserecoverytime Lowforwardvoltagedrop Lowswitchinglosses,highefficiency Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

US1B

型号:US1B;Package:DO-214AC;Surface Mount Ultrafast Recovery Rectifier

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

US1B

型号:US1BBG;Package:SMB;SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

US1B

型号:US1BF;Package:SMAF;SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

US1B

型号:US1BF;Package:SMAF;Surface Mount Ultrafast Recovery Rectifier

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

US1B

型号:US1BF-PJ;Package:SMAF;SURFACE ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

US1B

型号:US1BG;Package:SMA;SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

US1B

型号:US1B-PJ;Package:SMA;SURFACE ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    US1B

  • 功能描述:

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 极性:

    Bidirectional

  • 击穿电压:

    58.9 V

  • 钳位电压:

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流:

    38.8 A

  • 封装/箱体:

    DO-214AB

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

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更多US1B供应商 更新时间2025-7-31 13:30:00