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UPG2130TB-E3中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPG2130TB-E3
厂商型号

UPG2130TB-E3

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

G2P

文件大小

219.98 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 10:38:00

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UPG2130TB-E3规格书详情

FEATURES

• Operation frequency : fopt = 1 429 to 1 453 MHz (1 441 MHz TYP.)

• Supply voltage : VDD1 = 2.7 to 3.3 V (3.0 V TYP.)

: VDD2 = 3.0 to 4.2 V (3.5 V TYP.)

• Circuit current : IDD = 25 mA TYP. @ VDD1 = 3.0 V, VDD2 = 3.2 V, VAGC = 2.5 V, Pout = +10 dBm

• High power gain : GP = 30 dB TYP. @ VDD1 = 3.0 V, VDD2 = 3.2 V, VAGC = 2.5 V, Pin = -20 dBm

• Gain control range : GCR = 42 dB TYP. @ VDD1 = 3.0 V, VDD2 = 3.2 V, VAGC = 0.5 to 2.5 V,

Pin = -20 dBm

• Low distortion : Padj1 = -60 dBc TYP. @ VDD1 = 3.0 V, VDD2 = 3.2 V, VAGC = 2.5 V, Pout = +10 dBm,

Df = ±50 kHz, 21 kHz Bandwidth.

• High-density surface mounting : 6-pin super minimold package (2.0 ´ 1.25 ´ 0.9 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
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SOT363
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