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UPG2110TB-E3中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

UPG2110TB-E3

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUITS

丝印标识

G1Y

文件大小

247.61 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 23:00:00

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UPG2110TB-E3规格书详情

FEATURES

• Operation frequency : mPG2106TB : fopt = 889 to 960 MHz

: mPG2110TB : fopt = 1 429 to 1 453 MHz

• Supply voltage : mPG2106TB, mPG2110TB : VDD1, 2 = 2.7 to 3.3 V (3.0 V TYP.)

• Circuit current : mPG2106TB, mPG2110TB : IDD = 25 mA TYP. @ VDD1, 2 = 3.0 V, VAGC = 2.5 V, Pout = +8 dBm

• High power gain : mPG2106TB : GP = 30 dB TYP. @ VDD1, 2 = 3.0 V, VAGC = 2.5 V, Pin = -18 dBm

: mPG2110TB : GP = 27 dB TYP. @ VDD1, 2 = 3.0 V, VAGC = 2.5 V, Pin = -18 dBm

• Gain control range : mPG2106TB, mPG2110TB : GCR = 40 dB TYP. @ VDD1, 2 = 3.0 V, VAGC = 0.5 to 2.5 V, Pin = -18 dBm

• Low distortion : mPG2106TB : Padj1 = -60 dBc TYP. @ VDD1, 2 = 3.0 V, VAGC = 2.5 V,

Pout = +8 dBm, f = 925 MHz, Df = ±50 kHz, 21 kHz Bandwidth

: mPG2110TB : Padj1 = -60 dBc TYP. @ VDD1, 2 = 3.0 V, VAGC = 2.5 V,

Pout = +8 dBm, f = 1 441 MHz, Df = ±50 kHz, 21 kHz Bandwidth

• High-density surface mounting : 6-pin super minimold package (2.0 ´ 1.25 ´ 0.9 mm)

产品属性

  • 型号:

    UPG2110TB-E3

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    RF Amp Chip Single GP 1.91GHz 3.3V 6-Pin SOT-363 T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
6250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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NEC
23+
原厂封装
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20QFN (4.2x4.2)
9000
原装正品,支持实单
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25+
封装
500000
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24+
原厂原封
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原装正品
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