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UPG2009TB	文件：134.62 Kbytes Page：8 Pages	NECs L, S-BAND 4W SPDT SWITCH DESCRIPTION The µPG2009TB is an L-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 500 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss and high isolation by 2.8 V control voltage. FEATURES 文件：134.62 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2009TB	文件：547 Kbytes Page：9 Pages	L, S-Band HIGH POWER SPDT SWITCH DESCRIPTION NECs UPG2009TB is a L, S-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 500 MHz to 2.5 GHz, with low insertion loss and high isolation. FEATURES • LOW INSERTION LOSS: 0.25 dB TYP. @ Vcont1 文件：547 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
UPG2009TB	文件：207.87 Kbytes Page：12 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low insertion loss : LINS = 0.25 dB TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 1.0 GHz LINS = 0.30 dB TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 2.0 GHz • High isolation : ISL = 28 dB TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 2.0 GHz • High power : Pin (0.1dB) = 34 dBm TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 1.0 GHz 文件：207.87 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPG2009TB	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH 文件：86.16 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2009TB-E3	文件：134.62 Kbytes Page：8 Pages	NECs L, S-BAND 4W SPDT SWITCH DESCRIPTION The µPG2009TB is an L-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 500 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss and high isolation by 2.8 V control voltage. FEATURES 文件：134.62 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2009TB-E3	文件：207.87 Kbytes Page：12 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low insertion loss : LINS = 0.25 dB TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 1.0 GHz LINS = 0.30 dB TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 2.0 GHz • High isolation : ISL = 28 dB TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 2.0 GHz • High power : Pin (0.1dB) = 34 dBm TYP. @ Vcont1/2 = 2.8 V/0 V, f = 1.0 GHz 文件：207.87 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPG2009TB-E3-A	文件：547 Kbytes Page：9 Pages	L, S-Band HIGH POWER SPDT SWITCH DESCRIPTION NECs UPG2009TB is a L, S-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 500 MHz to 2.5 GHz, with low insertion loss and high isolation. FEATURES • LOW INSERTION LOSS: 0.25 dB TYP. @ Vcont1 文件：547 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
UPG2009TB_09	文件：1.28809 Mbytes Page：9 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH 文件：1.28809 Mbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
UPG2009TB_1	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH 文件：86.16 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2009TB-E3	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH 文件：86.16 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC

详细参数

型号：
UPG2009TB
功能描述：
RF 开关 IC L S Band SPDT Switch
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
开关数量：
Single
开关配置：
SPDT
介入损耗：
0.6 dB
截止隔离（典型值）：
43 dB
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN-16
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	UPG2009TB	原厂正品	23+	SOT363	5000	原装正品,假一罚十	询价
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