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UPD8874CY-A	文件：406.95 Kbytes Page：34 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Validphotocell:(5400+5400)staggeredpixels×3 •Photocell’ssize:5.25×5.25μm •Linespacing:63μm(12lines)Redline-Greenline,Greenline-Blueline 10.5μm(2lines)Oddline-Evenline(foreachcolor) •Colorfilter:Hightransmittancenewcolorfilter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8874MN	文件：189.17 Kbytes Page：2 Pages	SpaceMaker™,15C#18StrTC,POIns,OS,PVCJkt,AWM2937 ProductDescription SpaceMaker™,15Conductor18AWG(41x34)TinnedCopper,POInsulation,OverallBeldfoil®Shield,PVCOuterJacket,AWM2937	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
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DRV8874	文件：879.65 Kbytes Page：31 Pages	H-BridgeMotorDriverWithIntegratedCurrentSenseandRegulation	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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DRV8874PWPR	文件：879.65 Kbytes Page：31 Pages	H-BridgeMotorDriverWithIntegratedCurrentSenseandRegulation	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DS8874	文件：84.86 Kbytes Page：4 Pages	DS88749-DigitShiftInputLEDDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
FDB8874	文件：267.37 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8874	文件：330.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=121A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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