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UPD754304GSA	文件：316.27 Kbytes Page：74 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD754304	文件：579.23 Kbytes Page：75 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Low-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V •Internalmemory Programmemory(ROM): 2048×8bits(μPD754302,754302(A)) 4096×8bits(μPD754304,754304(A)) Datamemory(RAM):256×4bits •Variableinstructionexecutiontimeeffectiveforhighspeed operationandpowersaving 0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD754304	文件：316.27 Kbytes Page：74 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD754304A	文件：316.27 Kbytes Page：74 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD754304GS	文件：316.27 Kbytes Page：74 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD754304GS-XXX	文件：579.23 Kbytes Page：75 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Low-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V •Internalmemory Programmemory(ROM): 2048×8bits(μPD754302,754302(A)) 4096×8bits(μPD754304,754304(A)) Datamemory(RAM):256×4bits •Variableinstructionexecutiontimeeffectiveforhighspeed operationandpowersaving 0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD754304GS-XXX-A	文件：579.23 Kbytes Page：75 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Low-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V •Internalmemory Programmemory(ROM): 2048×8bits(μPD754302,754302(A)) 4096×8bits(μPD754304,754304(A)) Datamemory(RAM):256×4bits •Variableinstructionexecutiontimeeffectiveforhighspeed operationandpowersaving 0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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