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UPD75518	文件：1.59591 Mbytes Page：180 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD75518	文件：23.13109 Mbytes Page：384 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD75518	文件：1.32297 Mbytes Page：182 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •HigherreliablethanthemPD75518 •Capacitiesofprogrammemory,ROM:32640´8bits •Capacityofdatamemory,RAM:1024´4bits •Functionforspecifyingtheinstructionexecutiontime(usefulforhigh-speedoperationandsavingpower) •0.67ms/1.33ms/2.67ms/10.7ms(whenth	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD75518GFA	文件：1.59591 Mbytes Page：180 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD75518GF-XXX-3B9	文件：23.13109 Mbytes Page：384 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PTLV75518PDBVR	文件：1.10191 Mbytes Page：28 Pages	500-mA,LowIQ,SmallSize,LowDropoutRegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
PTLV75518PDBVR	文件：1.10866 Mbytes Page：30 Pages	500-mA,LowIQ,SmallSize,LowDropoutRegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

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