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UPD75316BGC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5-V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 16256 ´ 8 bits (mPD75316B) : 12160 ´ 8 bits (mPD75312B) • Data memory (RAM) : 1024 ´ 4 bits

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UPD756504AGB-508-8ES-A

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更多UPD75316BGC-XXX-3B9供应商 更新时间2025-10-11 17:21:00