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UPD6P9M3MC-5A4-A	文件：432.52 Kbytes Page：45 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Programmemory(one-timePROM):4074×10bits •Datamemory(RAM):128×4bits •On-chipcarriergeneratorforinfraredremotecontrol:Thehigh-levelandlow-levelwidthcanbesetseparately from250nsto64μs(@fX=4MHzoperation)viamodulo registers •9-bitprogrammabl	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Programmemory(one-timePROM):4074×10bits •Datamemory(RAM):128×4bits •On-chipcarriergeneratorforinfraredremotecontrol:Thehigh-levelandlow-levelwidthcanbesetseparately from250nsto64μs(@fX=4MHzoperation)viamodulo registers •9-bitprogrammabl

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