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UPD65004	文件：515.73 Kbytes Page：12 Pages	UPD65000 (CMOS-3) SERIES 2-MICRON CMOS GATE ARRAYS DESCRIPTION The μPD65000 (CMOS-3) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 2-micron silicon gate CMOS technology. 文件：515.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65005CF548	文件：658.41 Kbytes Page：11 Pages	3-MICROON CMOS GATE ARRAYS Description The μD65000 (CMOS-2) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 3-micron silicon gate CMOS technology. The basic cell on the chip consists of four transistors, two P-channel and two N-channel, with double-layer metal Interconnects. Features 文件：658.41 Kbytes 页数：11 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD6500X	文件：658.41 Kbytes Page：11 Pages	3-MICROON CMOS GATE ARRAYS Description The μD65000 (CMOS-2) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 3-micron silicon gate CMOS technology. The basic cell on the chip consists of four transistors, two P-channel and two N-channel, with double-layer metal Interconnects. Features 文件：658.41 Kbytes 页数：11 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65011	文件：515.73 Kbytes Page：12 Pages	UPD65000 (CMOS-3) SERIES 2-MICRON CMOS GATE ARRAYS DESCRIPTION The μPD65000 (CMOS-3) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 2-micron silicon gate CMOS technology. 文件：515.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65016GB-041-3B4	文件：33.88 Kbytes Page：2 Pages	C-MOS MULTI FUNCTION GATE C-MOS MULTI FUNCTION GATE 文件：33.88 Kbytes 页数：2 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UPD65021	文件：515.73 Kbytes Page：12 Pages	UPD65000 (CMOS-3) SERIES 2-MICRON CMOS GATE ARRAYS DESCRIPTION The μPD65000 (CMOS-3) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 2-micron silicon gate CMOS technology. 文件：515.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65030	文件：515.73 Kbytes Page：12 Pages	UPD65000 (CMOS-3) SERIES 2-MICRON CMOS GATE ARRAYS DESCRIPTION The μPD65000 (CMOS-3) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 2-micron silicon gate CMOS technology. 文件：515.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65040	文件：515.73 Kbytes Page：12 Pages	UPD65000 (CMOS-3) SERIES 2-MICRON CMOS GATE ARRAYS DESCRIPTION The μPD65000 (CMOS-3) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 2-micron silicon gate CMOS technology. 文件：515.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65045	文件：743.65 Kbytes Page：15 Pages	CMOS-6/6A/6V/6X 1.0-MICRON CMOS GATE ARRAYS Description NECs CMOS-6 gate array families (CMOS-6, CMOS-6A, CMOS-6V and CMOS-6X) are ultra-high performance, sub-micron effective channel length CMOS products created for high-integration ASIC applications. 文件：743.65 Kbytes 页数：15 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD65060	文件：515.73 Kbytes Page：12 Pages	UPD65000 (CMOS-3) SERIES 2-MICRON CMOS GATE ARRAYS DESCRIPTION The μPD65000 (CMOS-3) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 2-micron silicon gate CMOS technology. 文件：515.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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技术参数

I/O Ports：
96
Bit Size：
32
32-bit Timer (ch)：
1
Family：
R-IN
Watchdog Timer (ch)：
1
Series：
R-IN32M3
CAN (ch)：
2
Group：
R-IN32
Ethernet：
2ch
Program Memory (KB)：
768
Ethernet Remarks：
2ch
RAM (KB)：
512
Clocked Serial Interface (ch)：
2
Program Memory Type：
ROMless
UART (ch)：
2
Pin Count：
324
I2C (ch)：
2
CPU：
Cortex-M3
Operating Voltage Max (V)：
1.1
Max. Freq (MHz)：
100
Operating Voltage Min (V)：
0.9
On-chip Oscillator：
YES
Power Supply：
\VDD = 0.9 to 1.1 V
On-chip Oscillator Freq. (MHz)：
100
Operating Temperature Max (°C)：
85
PLL：
YES
Operating Temperature Min (°C)：
-40
DMA：
YES
Remarks：
\Industrial communication
DMA Remarks：
DMAC x 4 ch
Production Status：
Mass Production
External Interrupt Pins：
29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPD6供应商更新时间2025-10-4 10:20:00

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