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UPD5742T6J中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

UPD5742T6J

功能描述

MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

200.56 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 16:07:00

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UPD5742T6J规格书详情

FEATURES

• Low Noise : NV = −98 dBV TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ

: NV = −99 dBV TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ

• High Gain : GV = +9.0 dB TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ

: GV = +11.0 dB TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ

• Low Consumption Current : IDD = 370 μA TYP. @ VDD = 2 V, RL = 2.2 kΩ

• Built-in the capacitor for RF noise immunity

• High ESD voltage

• 3-pin thin-type lead-less minimold (1.2 × 1.0 × 0.33 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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