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UPD5741T6J	文件：201.1 Kbytes Page：9 Pages	MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •LowNoise:NV=−101dBVTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :NV=−102dBVTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ •HighGain:GV=+6.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :GV=+8.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ •LowConsumptionCurrent:ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD5741T6J-E4-A	文件：201.1 Kbytes Page：9 Pages	Marking：6T；MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •LowNoise:NV=−101dBVTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :NV=−102dBVTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ •HighGain:GV=+6.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :GV=+8.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ •LowConsumptionCurrent:ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PD5741T6J	文件：201.68 Kbytes Page：9 Pages	LOWNOISEANDHIGHGAINAMPLIFIERFORIMPEDANCECONVERTEROFMICROPHONE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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