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UPD48576118	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E18-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E18-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E24-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E24-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E25-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E25-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E33-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118FF-E33-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576118F1	文件：1.16886 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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