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UPD48576118	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E18-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E18-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E24-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E24-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E25-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E25-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E33-DW1	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118FF-E33-DW1-A	文件：1.17175 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.17175 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576118F1	文件：1.16886 Mbytes Page：52 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM 文件：1.16886 Mbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

密度 (MB)：
576
架构：
Low Latency DRAM-II
功能：
Separate I/O
突发长度 (字)：
2/4/8
数据宽度 (位)：
18
最大频率 (MHz)：
533
最小频率 (MHz)：
175
tRC (ns)：
15
工作温度 (degC)：
Tc=-0 to 95
I/O电压 (V)：
1.5/1.8
生产状态：
Mass Production

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UPD48576118F1-E18-DW1-A#YB2	RENESAS/瑞萨	23+	BGA	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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