UPD48576118FF-E18-DW1-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPD48576118FF-E18-DW1-A
厂商型号

UPD48576118FF-E18-DW1-A

功能描述

576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O

文件大小

1.17175 Mbytes

页面数量

52

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 15:25:00

UPD48576118FF-E18-DW1-A规格书详情

Features

• SRAM-type interface

• Double-data-rate architecture

• PLL circuitry

• Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns

2.5 ns @ tRC = 15 ns

2.5 ns @ tRC = 20 ns

3.3 ns @ tRC = 20 ns

• Non-multiplexed addresses

• Multiplexing option is available.

• Data mask for WRITE commands

• Differential input clocks (CK and CK#)

• Differential input data clocks (DK and DK#)

• Data valid signal (QVLD)

• Programmable burst length: 2 / 4 / 8 (x9 / x18)

• User programmable impedance output (25 Ω - 60 Ω)

• JTAG boundary scan

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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